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      1. 一種基于FM20L08存儲器的溫度測試儀設計———一種基于FM20L08存儲器的溫度測試儀設計

              1 引言

          高溫測試儀主要用于加熱過程中的溫度跟蹤測量和數據采集,通過對測試數據進行系統分析,研究爐內的溫度分布和溫差變化規律,分析影響加熱質量的主要因素,對加熱爐加熱過程和加熱制度進行優化,提高加熱質量,降低燃料消耗。

          而在一些收集存儲數據的系統,系統的電壓可能變化不定或者突然斷電,FM20L08就是針對這些系統可以用來直接替換異步靜態存儲器(SRAM)而設計的存儲器,也是Ramtron現有的最大容量的鐵電存儲器(FRAM),能夠進行無限次的讀寫操作. 使用FM20L08能夠極大的節約電路板空間。使用FM20L08存儲器的溫度測試儀,兼具大容量數據存儲、抗沖擊、抗干擾、數據斷電不丟失、實時采集速度高的特點[1]。

          2 鐵電存儲器( FRAM)與FM20L08

          2.1 鐵電存儲器介紹

          FRAM是Ramtron公司近年推出的一款掉電不揮發存儲器,它結合了高性能和低功耗操作,能在沒有電源的情況下保存數據。FRAM存儲器技術的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產品同時擁有隨機存取存儲器(RAM)和非易失性存儲產品的特性。鐵電晶體材料的工作原理是:當把電場加到鐵電晶體材料上,晶陣中的中心原子會沿著電場方向運動,到達穩定狀態。晶陣中的每個自由浮動的中心原子只有兩個穩定狀態。一個用來記憶邏輯中的0,另一個記憶1。中心原子能在常溫、沒有電場的情況下停留在此狀態達一百年以上。鐵電存儲器不需要定時刷新,能在斷電情況下保存數據。由于在整個物理過程中沒有任何原子碰撞, FRAM擁有高速讀寫、超低功耗和無限次寫入等超級特性[2]。

          2.2 FM20L08特點與引腳功能

          FM20L08是Ramtron公司近年推出的一款存儲容量為128×8bits  FRAM,其讀寫操作與標準 SRAM 相同。主要特點如下:3.3V單電源供電;并行接口;提供SOIC和DIP兩種封裝;功耗低,靜態電流小于10μA,讀寫電流小于15mA;非揮發性,掉電后數據能保存10年;訪問進入時間為 60 ns。高速的頁模式操作總線速度最高可達到 33MHz,4 字節脈沖;寫操作無延時,讀寫無限次;可滿足工業溫度 (-40℃ 到 +85℃)。

          FM20L08的引腳排列如圖1所示。各引腳功能如下:

          /CE2:片選端;

          :寫使能端;

          :輸出使能端口;

          A0~A16:地址端;

          DQ0~DQ7 :數據端;

          VDD:電源;

          VSS:接地端。

          圖1 FM20L08引腳圖

          圖2 溫度記錄儀原理框圖

        3 溫度記錄儀系統硬件組成

          采用內含多路開關、A/D轉換器、電壓參考源的16位單片機CPU形成16通道低功耗溫度記錄儀[2]。RC組成的濾波電路濾掉熱電偶信號中的干擾信號,經八選一多路開關輸入至運算放大器放大到適當電平,再輸入至CPU 進行A/ D 采樣,經數值轉換和線性化后存貯至FRAM存貯器中。在整個測量結束后,由通信接口與PC 機相連,將數據傳送給PC 機做進一步的分析和處理。電源部分則由低功耗低壓差穩壓電路和濾波電路組成,系統提供3.3 V 的工作電源。溫度記錄儀各零部件均選用工業級,使工作溫度在- 45~85 ℃之間正常運行。圖2為溫度記錄儀原理框圖。

          FM20L08FRAM與一般的SRAM在使用過程中有所差別。FM20L08在 為低電平CE2為高電平時被選中,每一次訪問都必須確保 的由高向低的躍變。由于鐵電存儲器使用的技術比較特殊,在操作過程中有預充電過程。預充電操作是為新訪問記憶體的一個內部條件,所有記憶體周期包括記憶體訪問和預充電,預充電是由 引腳為高電平開始,它必須保持高電平至少為一特定的最小時間。

          4 溫度記錄儀系統軟件設計

          程序分為主程序、數據采集程序、USB通訊程序[3]。工作過程為: 記錄儀首先加電壓, 通過外部信號進行中斷, 使單片機進入數據采集的子程序并循環,達到定時時間后, 停止采集,退出子程序, 進入主循環, 等待串口信號外部觸發, 從而進入數據傳輸子程序, 將數據通過串口送入PC 機,圖3為溫度記錄儀程序流程圖。

          圖3 溫度記錄儀程序流程圖

         
         
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